Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
номер части
IXFN100N10S1
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
180nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4500pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 38272 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN100N10S1
IXFN100N10S1 Электронные компоненты
IXFN100N10S1 Продажи
IXFN100N10S1 Поставщик
IXFN100N10S1 Распределитель
IXFN100N10S1 Таблица данных
IXFN100N10S1 Фото
IXFN100N10S1 Цена
IXFN100N10S1 Предложение
IXFN100N10S1 Низшая цена
IXFN100N10S1 Поиск
IXFN100N10S1 Покупка
IXFN100N10S1 Chip