Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
номер части
IXFN100N10S3
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
180nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4500pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23046 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN100N10S3
IXFN100N10S3 Электронные компоненты
IXFN100N10S3 Продажи
IXFN100N10S3 Поставщик
IXFN100N10S3 Распределитель
IXFN100N10S3 Таблица данных
IXFN100N10S3 Фото
IXFN100N10S3 Цена
IXFN100N10S3 Предложение
IXFN100N10S3 Низшая цена
IXFN100N10S3 Поиск
IXFN100N10S3 Покупка
IXFN100N10S3 Chip