Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN130N30

IXFN130N30

MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
номер части
IXFN130N30
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
700W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
130A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
380nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
14500pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 6500 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN130N30
IXFN130N30 Электронные компоненты
IXFN130N30 Продажи
IXFN130N30 Поставщик
IXFN130N30 Распределитель
IXFN130N30 Таблица данных
IXFN130N30 Фото
IXFN130N30 Цена
IXFN130N30 Предложение
IXFN130N30 Низшая цена
IXFN130N30 Поиск
IXFN130N30 Покупка
IXFN130N30 Chip