Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN160N30T

IXFN160N30T

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
номер части
IXFN160N30T
Производитель/Бренд
Ряд
GigaMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
900W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
130A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
335nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
28000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31628 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN160N30T
IXFN160N30T Электронные компоненты
IXFN160N30T Продажи
IXFN160N30T Поставщик
IXFN160N30T Распределитель
IXFN160N30T Таблица данных
IXFN160N30T Фото
IXFN160N30T Цена
IXFN160N30T Предложение
IXFN160N30T Низшая цена
IXFN160N30T Поиск
IXFN160N30T Покупка
IXFN160N30T Chip