Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

MOSFET N-CH
номер части
IXFN170N65X2
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
1170W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
170A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
434nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
27000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21997 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN170N65X2
IXFN170N65X2 Электронные компоненты
IXFN170N65X2 Продажи
IXFN170N65X2 Поставщик
IXFN170N65X2 Распределитель
IXFN170N65X2 Таблица данных
IXFN170N65X2 Фото
IXFN170N65X2 Цена
IXFN170N65X2 Предложение
IXFN170N65X2 Низшая цена
IXFN170N65X2 Поиск
IXFN170N65X2 Покупка
IXFN170N65X2 Chip