Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN180N10

IXFN180N10

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
номер части
IXFN180N10
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
600W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
180A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
360nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
9100pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8786 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN180N10
IXFN180N10 Электронные компоненты
IXFN180N10 Продажи
IXFN180N10 Поставщик
IXFN180N10 Распределитель
IXFN180N10 Таблица данных
IXFN180N10 Фото
IXFN180N10 Цена
IXFN180N10 Предложение
IXFN180N10 Низшая цена
IXFN180N10 Поиск
IXFN180N10 Покупка
IXFN180N10 Chip