Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN210N20P

IXFN210N20P

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
номер части
IXFN210N20P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
1070W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
188A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
255nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
18600pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 22612 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN210N20P
IXFN210N20P Электронные компоненты
IXFN210N20P Продажи
IXFN210N20P Поставщик
IXFN210N20P Распределитель
IXFN210N20P Таблица данных
IXFN210N20P Фото
IXFN210N20P Цена
IXFN210N20P Предложение
IXFN210N20P Низшая цена
IXFN210N20P Поиск
IXFN210N20P Покупка
IXFN210N20P Chip