Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

FET N-CHANNEL
номер части
IXFN210N30X3
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
695W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
210A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
375nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
24200pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 7416 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN210N30X3
IXFN210N30X3 Электронные компоненты
IXFN210N30X3 Продажи
IXFN210N30X3 Поставщик
IXFN210N30X3 Распределитель
IXFN210N30X3 Таблица данных
IXFN210N30X3 Фото
IXFN210N30X3 Цена
IXFN210N30X3 Предложение
IXFN210N30X3 Низшая цена
IXFN210N30X3 Поиск
IXFN210N30X3 Покупка
IXFN210N30X3 Chip