Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
номер части
IXFN21N100Q
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
21A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
170nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5900pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45986 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN21N100Q
IXFN21N100Q Электронные компоненты
IXFN21N100Q Продажи
IXFN21N100Q Поставщик
IXFN21N100Q Распределитель
IXFN21N100Q Таблица данных
IXFN21N100Q Фото
IXFN21N100Q Цена
IXFN21N100Q Предложение
IXFN21N100Q Низшая цена
IXFN21N100Q Поиск
IXFN21N100Q Покупка
IXFN21N100Q Chip