Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN26N100P

IXFN26N100P

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
номер части
IXFN26N100P
Производитель/Бренд
Ряд
Polar™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
595W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
23A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
197nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
11900pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5674 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN26N100P
IXFN26N100P Электронные компоненты
IXFN26N100P Продажи
IXFN26N100P Поставщик
IXFN26N100P Распределитель
IXFN26N100P Таблица данных
IXFN26N100P Фото
IXFN26N100P Цена
IXFN26N100P Предложение
IXFN26N100P Низшая цена
IXFN26N100P Поиск
IXFN26N100P Покупка
IXFN26N100P Chip