Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
номер части
IXFN27N80Q
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
27A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
170nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7600pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34399 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN27N80Q
IXFN27N80Q Электронные компоненты
IXFN27N80Q Продажи
IXFN27N80Q Поставщик
IXFN27N80Q Распределитель
IXFN27N80Q Таблица данных
IXFN27N80Q Фото
IXFN27N80Q Цена
IXFN27N80Q Предложение
IXFN27N80Q Низшая цена
IXFN27N80Q Поиск
IXFN27N80Q Покупка
IXFN27N80Q Chip