Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN55N50

IXFN55N50

MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
номер части
IXFN55N50
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
625W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
55A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
330nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
9400pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45750 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN55N50
IXFN55N50 Электронные компоненты
IXFN55N50 Продажи
IXFN55N50 Поставщик
IXFN55N50 Распределитель
IXFN55N50 Таблица данных
IXFN55N50 Фото
IXFN55N50 Цена
IXFN55N50 Предложение
IXFN55N50 Низшая цена
IXFN55N50 Поиск
IXFN55N50 Покупка
IXFN55N50 Chip