Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN60N60

IXFN60N60

MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
номер части
IXFN60N60
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
700W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
380nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
15000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27285 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN60N60
IXFN60N60 Электронные компоненты
IXFN60N60 Продажи
IXFN60N60 Поставщик
IXFN60N60 Распределитель
IXFN60N60 Таблица данных
IXFN60N60 Фото
IXFN60N60 Цена
IXFN60N60 Предложение
IXFN60N60 Низшая цена
IXFN60N60 Поиск
IXFN60N60 Покупка
IXFN60N60 Chip