Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
номер части
IXFN82N60Q3
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика
SOT-227B
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
66A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
275nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
13500pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 38722 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 Электронные компоненты
IXFN82N60Q3 Продажи
IXFN82N60Q3 Поставщик
IXFN82N60Q3 Распределитель
IXFN82N60Q3 Таблица данных
IXFN82N60Q3 Фото
IXFN82N60Q3 Цена
IXFN82N60Q3 Предложение
IXFN82N60Q3 Низшая цена
IXFN82N60Q3 Поиск
IXFN82N60Q3 Покупка
IXFN82N60Q3 Chip