Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
PMDPB30XN,115

PMDPB30XN,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
номер части
PMDPB30XN,115
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-UDFN Exposed Pad
Мощность - Макс.
490mW
Пакет устройств поставщика
DFN2020-6
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
21.7nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
660pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32102 PCS
Контактная информация
Ключевые слова PMDPB30XN,115
PMDPB30XN,115 Электронные компоненты
PMDPB30XN,115 Продажи
PMDPB30XN,115 Поставщик
PMDPB30XN,115 Распределитель
PMDPB30XN,115 Таблица данных
PMDPB30XN,115 Фото
PMDPB30XN,115 Цена
PMDPB30XN,115 Предложение
PMDPB30XN,115 Низшая цена
PMDPB30XN,115 Поиск
PMDPB30XN,115 Покупка
PMDPB30XN,115 Chip