Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
PMDPB38UNE,115

PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
номер части
PMDPB38UNE,115
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-UDFN Exposed Pad
Мощность - Макс.
510mW
Пакет устройств поставщика
DFN2020-6
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4.4nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
268pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36337 PCS
Контактная информация
Ключевые слова PMDPB38UNE,115
PMDPB38UNE,115 Электронные компоненты
PMDPB38UNE,115 Продажи
PMDPB38UNE,115 Поставщик
PMDPB38UNE,115 Распределитель
PMDPB38UNE,115 Таблица данных
PMDPB38UNE,115 Фото
PMDPB38UNE,115 Цена
PMDPB38UNE,115 Предложение
PMDPB38UNE,115 Низшая цена
PMDPB38UNE,115 Поиск
PMDPB38UNE,115 Покупка
PMDPB38UNE,115 Chip