Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
PMDPB56XN,115

PMDPB56XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
номер части
PMDPB56XN,115
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-UDFN Exposed Pad
Мощность - Макс.
510mW
Пакет устройств поставщика
DFN2020-6
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3.1A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
170pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 12397 PCS
Контактная информация
Ключевые слова PMDPB56XN,115
PMDPB56XN,115 Электронные компоненты
PMDPB56XN,115 Продажи
PMDPB56XN,115 Поставщик
PMDPB56XN,115 Распределитель
PMDPB56XN,115 Таблица данных
PMDPB56XN,115 Фото
PMDPB56XN,115 Цена
PMDPB56XN,115 Предложение
PMDPB56XN,115 Низшая цена
PMDPB56XN,115 Поиск
PMDPB56XN,115 Покупка
PMDPB56XN,115 Chip