Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FDI150N10

FDI150N10

MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
номер части
FDI150N10
Производитель/Бренд
Ряд
PowerTrench®
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
I2PAK (TO-262)
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
57A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
69nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4760pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28659 PCS
Контактная информация
Ключевые слова FDI150N10
FDI150N10 Электронные компоненты
FDI150N10 Продажи
FDI150N10 Поставщик
FDI150N10 Распределитель
FDI150N10 Таблица данных
FDI150N10 Фото
FDI150N10 Цена
FDI150N10 Предложение
FDI150N10 Низшая цена
FDI150N10 Поиск
FDI150N10 Покупка
FDI150N10 Chip