Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
STI11NM60ND

STI11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
номер части
STI11NM60ND
Производитель/Бренд
Ряд
FDmesh™ II
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
I2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
30nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
850pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34387 PCS
Контактная информация
Ключевые слова STI11NM60ND
STI11NM60ND Электронные компоненты
STI11NM60ND Продажи
STI11NM60ND Поставщик
STI11NM60ND Распределитель
STI11NM60ND Таблица данных
STI11NM60ND Фото
STI11NM60ND Цена
STI11NM60ND Предложение
STI11NM60ND Низшая цена
STI11NM60ND Поиск
STI11NM60ND Покупка
STI11NM60ND Chip