Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
STI11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
номер части
STI11NM80
Производитель/Бренд
Ряд
MDmesh™
Статус детали
Not For New Designs
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
I2PAK (TO-262)
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1630pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32443 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова STI11NM80
STI11NM80 Электронные компоненты
STI11NM80 Продажи
STI11NM80 Поставщик
STI11NM80 Распределитель
STI11NM80 Таблица данных
STI11NM80 Фото
STI11NM80 Цена
STI11NM80 Предложение
STI11NM80 Низшая цена
STI11NM80 Поиск
STI11NM80 Покупка
STI11NM80 Chip