Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4800BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
номер части
SI4800BDY-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SO
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.5A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
13nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21150 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SI4800BDY-T1-GE3
SI4800BDY-T1-GE3 Электронные компоненты
SI4800BDY-T1-GE3 Продажи
SI4800BDY-T1-GE3 Поставщик
SI4800BDY-T1-GE3 Распределитель
SI4800BDY-T1-GE3 Таблица данных
SI4800BDY-T1-GE3 Фото
SI4800BDY-T1-GE3 Цена
SI4800BDY-T1-GE3 Предложение
SI4800BDY-T1-GE3 Низшая цена
SI4800BDY-T1-GE3 Поиск
SI4800BDY-T1-GE3 Покупка
SI4800BDY-T1-GE3 Chip