Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4804BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
номер части
SI4804BDY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
1.1W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
5.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16943 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SI4804BDY-T1-E3
SI4804BDY-T1-E3 Электронные компоненты
SI4804BDY-T1-E3 Продажи
SI4804BDY-T1-E3 Поставщик
SI4804BDY-T1-E3 Распределитель
SI4804BDY-T1-E3 Таблица данных
SI4804BDY-T1-E3 Фото
SI4804BDY-T1-E3 Цена
SI4804BDY-T1-E3 Предложение
SI4804BDY-T1-E3 Низшая цена
SI4804BDY-T1-E3 Поиск
SI4804BDY-T1-E3 Покупка
SI4804BDY-T1-E3 Chip