Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
номер части
SI9407BDY-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SO
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
22nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
600pF @ 30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48560 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3 Электронные компоненты
SI9407BDY-T1-GE3 Продажи
SI9407BDY-T1-GE3 Поставщик
SI9407BDY-T1-GE3 Распределитель
SI9407BDY-T1-GE3 Таблица данных
SI9407BDY-T1-GE3 Фото
SI9407BDY-T1-GE3 Цена
SI9407BDY-T1-GE3 Предложение
SI9407BDY-T1-GE3 Низшая цена
SI9407BDY-T1-GE3 Поиск
SI9407BDY-T1-GE3 Покупка
SI9407BDY-T1-GE3 Chip