Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI9410BDY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
номер части
SI9410BDY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SO
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.2A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
23nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 40267 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI9410BDY-T1-E3
SI9410BDY-T1-E3 Электронные компоненты
SI9410BDY-T1-E3 Продажи
SI9410BDY-T1-E3 Поставщик
SI9410BDY-T1-E3 Распределитель
SI9410BDY-T1-E3 Таблица данных
SI9410BDY-T1-E3 Фото
SI9410BDY-T1-E3 Цена
SI9410BDY-T1-E3 Предложение
SI9410BDY-T1-E3 Низшая цена
SI9410BDY-T1-E3 Поиск
SI9410BDY-T1-E3 Покупка
SI9410BDY-T1-E3 Chip