Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHG050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V
номер части
SIHG050N60E-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
E
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AC
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
51A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3459pF @ 100V
ВГС (Макс)
±30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10246 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SIHG050N60E-GE3
SIHG050N60E-GE3 Электронные компоненты
SIHG050N60E-GE3 Продажи
SIHG050N60E-GE3 Поставщик
SIHG050N60E-GE3 Распределитель
SIHG050N60E-GE3 Таблица данных
SIHG050N60E-GE3 Фото
SIHG050N60E-GE3 Цена
SIHG050N60E-GE3 Предложение
SIHG050N60E-GE3 Низшая цена
SIHG050N60E-GE3 Поиск
SIHG050N60E-GE3 Покупка
SIHG050N60E-GE3 Chip