Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
номер части
SIHG14N50D-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AC
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
14A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
58nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1144pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30665 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIHG14N50D-GE3
SIHG14N50D-GE3 Электронные компоненты
SIHG14N50D-GE3 Продажи
SIHG14N50D-GE3 Поставщик
SIHG14N50D-GE3 Распределитель
SIHG14N50D-GE3 Таблица данных
SIHG14N50D-GE3 Фото
SIHG14N50D-GE3 Цена
SIHG14N50D-GE3 Предложение
SIHG14N50D-GE3 Низшая цена
SIHG14N50D-GE3 Поиск
SIHG14N50D-GE3 Покупка
SIHG14N50D-GE3 Chip