Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHG22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
номер части
SIHG22N60AE-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
E
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AC
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
96nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1451pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47948 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SIHG22N60AE-GE3
SIHG22N60AE-GE3 Электронные компоненты
SIHG22N60AE-GE3 Продажи
SIHG22N60AE-GE3 Поставщик
SIHG22N60AE-GE3 Распределитель
SIHG22N60AE-GE3 Таблица данных
SIHG22N60AE-GE3 Фото
SIHG22N60AE-GE3 Цена
SIHG22N60AE-GE3 Предложение
SIHG22N60AE-GE3 Низшая цена
SIHG22N60AE-GE3 Поиск
SIHG22N60AE-GE3 Покупка
SIHG22N60AE-GE3 Chip