Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
номер части
SIHG33N65E-GE3
Производитель/Бренд
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AC
Рассеиваемая мощность (макс.)
313W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32.4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
173nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4040pF @ 100V
ВГС (Макс)
±30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 49804 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIHG33N65E-GE3
SIHG33N65E-GE3 Электронные компоненты
SIHG33N65E-GE3 Продажи
SIHG33N65E-GE3 Поставщик
SIHG33N65E-GE3 Распределитель
SIHG33N65E-GE3 Таблица данных
SIHG33N65E-GE3 Фото
SIHG33N65E-GE3 Цена
SIHG33N65E-GE3 Предложение
SIHG33N65E-GE3 Низшая цена
SIHG33N65E-GE3 Поиск
SIHG33N65E-GE3 Покупка
SIHG33N65E-GE3 Chip