Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQD100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
номер части
SQD100N02-3M5L_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252AA
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
110nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5500pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10258 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SQD100N02-3M5L_GE3
SQD100N02-3M5L_GE3 Электронные компоненты
SQD100N02-3M5L_GE3 Продажи
SQD100N02-3M5L_GE3 Поставщик
SQD100N02-3M5L_GE3 Распределитель
SQD100N02-3M5L_GE3 Таблица данных
SQD100N02-3M5L_GE3 Фото
SQD100N02-3M5L_GE3 Цена
SQD100N02-3M5L_GE3 Предложение
SQD100N02-3M5L_GE3 Низшая цена
SQD100N02-3M5L_GE3 Поиск
SQD100N02-3M5L_GE3 Покупка
SQD100N02-3M5L_GE3 Chip