Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
номер части
SQD100N04-3M6L_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252AA
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
105nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6700pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31173 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQD100N04-3M6L_GE3
SQD100N04-3M6L_GE3 Электронные компоненты
SQD100N04-3M6L_GE3 Продажи
SQD100N04-3M6L_GE3 Поставщик
SQD100N04-3M6L_GE3 Распределитель
SQD100N04-3M6L_GE3 Таблица данных
SQD100N04-3M6L_GE3 Фото
SQD100N04-3M6L_GE3 Цена
SQD100N04-3M6L_GE3 Предложение
SQD100N04-3M6L_GE3 Низшая цена
SQD100N04-3M6L_GE3 Поиск
SQD100N04-3M6L_GE3 Покупка
SQD100N04-3M6L_GE3 Chip