Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ401EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
номер части
SQJ401EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
164nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
10015pF @ 6V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 9164 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SQJ401EP-T1_GE3
SQJ401EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ401EP-T1_GE3 Продажи
SQJ401EP-T1_GE3 Поставщик
SQJ401EP-T1_GE3 Распределитель
SQJ401EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ401EP-T1_GE3 Фото
SQJ401EP-T1_GE3 Цена
SQJ401EP-T1_GE3 Предложение
SQJ401EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ401EP-T1_GE3 Поиск
SQJ401EP-T1_GE3 Покупка
SQJ401EP-T1_GE3 Chip