Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
номер части
SQJ402EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2289pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 39777 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ402EP-T1_GE3
SQJ402EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ402EP-T1_GE3 Продажи
SQJ402EP-T1_GE3 Поставщик
SQJ402EP-T1_GE3 Распределитель
SQJ402EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ402EP-T1_GE3 Фото
SQJ402EP-T1_GE3 Цена
SQJ402EP-T1_GE3 Предложение
SQJ402EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ402EP-T1_GE3 Поиск
SQJ402EP-T1_GE3 Покупка
SQJ402EP-T1_GE3 Chip