Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
номер части
SQJ912AEP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
48W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
38nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1835pF @ 20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 40258 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ912AEP-T1_GE3
SQJ912AEP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ912AEP-T1_GE3 Продажи
SQJ912AEP-T1_GE3 Поставщик
SQJ912AEP-T1_GE3 Распределитель
SQJ912AEP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ912AEP-T1_GE3 Фото
SQJ912AEP-T1_GE3 Цена
SQJ912AEP-T1_GE3 Предложение
SQJ912AEP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ912AEP-T1_GE3 Поиск
SQJ912AEP-T1_GE3 Покупка
SQJ912AEP-T1_GE3 Chip