Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
номер части
SQJ912BEP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
48W (Tc)
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
60nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3000pF @ 25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 18261 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ912BEP-T1_GE3 Продажи
SQJ912BEP-T1_GE3 Поставщик
SQJ912BEP-T1_GE3 Распределитель
SQJ912BEP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ912BEP-T1_GE3 Фото
SQJ912BEP-T1_GE3 Цена
SQJ912BEP-T1_GE3 Предложение
SQJ912BEP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ912BEP-T1_GE3 Поиск
SQJ912BEP-T1_GE3 Покупка
SQJ912BEP-T1_GE3 Chip