Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJA00EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
номер части
SQJA00EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
35nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1700pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6282 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SQJA00EP-T1_GE3
SQJA00EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJA00EP-T1_GE3 Продажи
SQJA00EP-T1_GE3 Поставщик
SQJA00EP-T1_GE3 Распределитель
SQJA00EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJA00EP-T1_GE3 Фото
SQJA00EP-T1_GE3 Цена
SQJA00EP-T1_GE3 Предложение
SQJA00EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJA00EP-T1_GE3 Поиск
SQJA00EP-T1_GE3 Покупка
SQJA00EP-T1_GE3 Chip