Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJA02EP-T1_GE3

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
номер части
SQJA02EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
80nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4700pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24515 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJA02EP-T1_GE3
SQJA02EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJA02EP-T1_GE3 Продажи
SQJA02EP-T1_GE3 Поставщик
SQJA02EP-T1_GE3 Распределитель
SQJA02EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJA02EP-T1_GE3 Фото
SQJA02EP-T1_GE3 Цена
SQJA02EP-T1_GE3 Предложение
SQJA02EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJA02EP-T1_GE3 Поиск
SQJA02EP-T1_GE3 Покупка
SQJA02EP-T1_GE3 Chip