Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQM100N10-10_GE3

SQM100N10-10_GE3

MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
номер части
SQM100N10-10_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (D2Pak)
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
185nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
8050pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 29541 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQM100N10-10_GE3
SQM100N10-10_GE3 Электронные компоненты
SQM100N10-10_GE3 Продажи
SQM100N10-10_GE3 Поставщик
SQM100N10-10_GE3 Распределитель
SQM100N10-10_GE3 Таблица данных
SQM100N10-10_GE3 Фото
SQM100N10-10_GE3 Цена
SQM100N10-10_GE3 Предложение
SQM100N10-10_GE3 Низшая цена
SQM100N10-10_GE3 Поиск
SQM100N10-10_GE3 Покупка
SQM100N10-10_GE3 Chip