Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CHAN 250V TO-263
номер части
SQM10250E_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263 (D²Pak)
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
65A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
75nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4050pF @ 25V
ВГС (Макс)
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
7.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 37884 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3 Электронные компоненты
SQM10250E_GE3 Продажи
SQM10250E_GE3 Поставщик
SQM10250E_GE3 Распределитель
SQM10250E_GE3 Таблица данных
SQM10250E_GE3 Фото
SQM10250E_GE3 Цена
SQM10250E_GE3 Предложение
SQM10250E_GE3 Низшая цена
SQM10250E_GE3 Поиск
SQM10250E_GE3 Покупка
SQM10250E_GE3 Chip