AGM-Semi (core control source)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
AGM602C N-channel 60V 210A 2.3mΩ

AGM602C

N-channel 60V 210A 2.3mΩ
номер части
AGM602C
Категория
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Производитель/Бренд
AGM-Semi (core control source)
Инкапсуляция
TO-220
Упаковка
Tube
Количество упаковок
50
Описание
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 210A Power (Pd): 186W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 93nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.8nF@30V, Vds=60V Id=210A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 75985 PCS
Контактная информация
Ключевые слова AGM602C
AGM602C Электронные компоненты
AGM602C Продажи
AGM602C Поставщик
AGM602C Распределитель
AGM602C Таблица данных
AGM602C Фото
AGM602C Цена
AGM602C Предложение
AGM602C Низшая цена
AGM602C Поиск
AGM602C Покупка
AGM602C Chip