AGM-Semi (core control source)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
AGM603D N-channel 60V 130A 2.8mΩ

AGM603D

N-channel 60V 130A 2.8mΩ
номер части
AGM603D
Категория
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Производитель/Бренд
AGM-Semi (core control source)
Инкапсуляция
TO-252
Упаковка
taping
Количество упаковок
2500
Описание
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 130A Power (Pd): 140W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 66nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.377nF@25V, Vds=60V Id=130A Rds=2.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 81628 PCS
Контактная информация
Ключевые слова AGM603D
AGM603D Электронные компоненты
AGM603D Продажи
AGM603D Поставщик
AGM603D Распределитель
AGM603D Таблица данных
AGM603D Фото
AGM603D Цена
AGM603D Предложение
AGM603D Низшая цена
AGM603D Поиск
AGM603D Покупка
AGM603D Chip