AGM-Semi (core control source)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
AGM609AP N-channel 60V 40A 6.5mΩ

AGM609AP

N-channel 60V 40A 6.5mΩ
номер части
AGM609AP
Категория
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Производитель/Бренд
AGM-Semi (core control source)
Инкапсуляция
DFN3x3
Упаковка
taping
Количество упаковок
5000
Описание
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 40A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.47nF@25V, Vds=60V Id=40A Rds=6.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 78910 PCS
Контактная информация
Ключевые слова AGM609AP
AGM609AP Электронные компоненты
AGM609AP Продажи
AGM609AP Поставщик
AGM609AP Распределитель
AGM609AP Таблица данных
AGM609AP Фото
AGM609AP Цена
AGM609AP Предложение
AGM609AP Низшая цена
AGM609AP Поиск
AGM609AP Покупка
AGM609AP Chip