Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
номер части
IPI023NE7N3 G
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 273µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
206nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
-
ВГС (Макс)
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 13964 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPI023NE7N3 G
IPI023NE7N3 G Электронные компоненты
IPI023NE7N3 G Продажи
IPI023NE7N3 G Поставщик
IPI023NE7N3 G Распределитель
IPI023NE7N3 G Таблица данных
IPI023NE7N3 G Фото
IPI023NE7N3 G Цена
IPI023NE7N3 G Предложение
IPI023NE7N3 G Низшая цена
IPI023NE7N3 G Поиск
IPI023NE7N3 G Покупка
IPI023NE7N3 G Chip