Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPI024N06N3GHKSA1

IPI024N06N3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
номер части
IPI024N06N3GHKSA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 196µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
275nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
23000pF @ 30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 19493 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPI024N06N3GHKSA1
IPI024N06N3GHKSA1 Электронные компоненты
IPI024N06N3GHKSA1 Продажи
IPI024N06N3GHKSA1 Поставщик
IPI024N06N3GHKSA1 Распределитель
IPI024N06N3GHKSA1 Таблица данных
IPI024N06N3GHKSA1 Фото
IPI024N06N3GHKSA1 Цена
IPI024N06N3GHKSA1 Предложение
IPI024N06N3GHKSA1 Низшая цена
IPI024N06N3GHKSA1 Поиск
IPI024N06N3GHKSA1 Покупка
IPI024N06N3GHKSA1 Chip