Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPI024N06N3GXKSA1

IPI024N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A
номер части
IPI024N06N3GXKSA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 196µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
275nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
23000pF @ 30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 51527 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPI024N06N3GXKSA1
IPI024N06N3GXKSA1 Электронные компоненты
IPI024N06N3GXKSA1 Продажи
IPI024N06N3GXKSA1 Поставщик
IPI024N06N3GXKSA1 Распределитель
IPI024N06N3GXKSA1 Таблица данных
IPI024N06N3GXKSA1 Фото
IPI024N06N3GXKSA1 Цена
IPI024N06N3GXKSA1 Предложение
IPI024N06N3GXKSA1 Низшая цена
IPI024N06N3GXKSA1 Поиск
IPI024N06N3GXKSA1 Покупка
IPI024N06N3GXKSA1 Chip