Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPI08CN10N G

IPI08CN10N G

MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
номер части
IPI08CN10N G
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
95A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
100nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6660pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33327 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPI08CN10N G
IPI08CN10N G Электронные компоненты
IPI08CN10N G Продажи
IPI08CN10N G Поставщик
IPI08CN10N G Распределитель
IPI08CN10N G Таблица данных
IPI08CN10N G Фото
IPI08CN10N G Цена
IPI08CN10N G Предложение
IPI08CN10N G Низшая цена
IPI08CN10N G Поиск
IPI08CN10N G Покупка
IPI08CN10N G Chip